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厂商型号

BF 799 E6327 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR

内部编号

173-BF-799-E6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:2429
最小起订量:1
美国加州
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BF 799 E6327产品详细规格

规格书 BF 799 E6327 datasheet 规格书
BF 799
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 20V
频率转换 800MHz
噪声系数 (dB Typ @ f) 3dB @ 100MHz
增益 -
功率 - 最大 280mW
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 20mA, 10V
集电极电流(Ic)(最大) 35mA
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 NPN RF Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-rf-transistors/17078?mpart=BF%20799%20E6327&vendor=448&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
电流 - 集电极( Ic)(最大) 35mA
噪声系数(dB典型值@频率) 3dB @ 100MHz
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 800MHz
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 20V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 280mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 20mA, 10V
系列 *
其他名称 BF 799 E6327CT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
增益带宽产品fT 1100 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 3 V
最大功率耗散 280 mW
直流集电极/增益hfe最小值 35 at 5 mA at 10 V, 40 at 20 mA at 10 V
集电极最大直流电流 0.035 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 20 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 BF799E6327HTSA1 SP000010973
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.035 A

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